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            阮永豐

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            期刊論文

            中子輻照6H-SiC晶體的光學性質及缺陷分析

            阮永豐 , 侯貝貝 , 李連鋼 , 王鵬飛 , 陳敬 , 黃麗

            硅酸鹽學報,第42卷第3期,2014年3月,-0001,():

            URL:

            摘要/描述

            利用透射電子顯微鏡、紫外-可見-近紅外光譜以及拉曼光譜,對經受了劑量為1.67×1020 n/cm2的中子輻照的n型半導體6H-SiC晶體進行了微觀結構、光學性質及退火過程的研究。結果顯示,輻照并沒有造成樣品的完全非晶化,輻照缺陷主要是點缺陷及其聚集體。輻照后的樣品的光吸收明顯增加,帶隙變小,烏爾巴赫能量變大,且在1178nm,1410nm,1710nm處出現新的吸收峰。1178nm峰和1410nm峰的出現歸因于輻照產生的Si空位。對輻照樣品進行了室溫至1600℃退火,發現800℃是退火過程的轉折點。低于800℃退火時,樣品中的弗蘭克爾對、間隙原子和VC消失;高于800℃退火時,VSi逐漸消亡,或轉化為更穩定的復雜缺陷團。為了解釋與VSi有關的多個光譜峰,建立了SiC中硅空位的“類鈹原子模型”。

            關鍵詞: 中子輻照 , SiC , 光學性質 , 類鈹原子模型

            【免責聲明】以下全部內容由[阮永豐]上傳于[2017年03月25日 14時05分03秒],版權歸原創者所有。本文僅代表作者本人觀點,與本網站無關。本網站對文中陳述、觀點判斷保持中立,不對所包含內容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。請讀者僅作參考,并請自行承擔全部責任。

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